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- 集成電路及微電子制造
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微納電路反應(yīng)離子蝕機RIE100
產(chǎn)品型號:RIE100
微納電路反應(yīng)離子蝕機
- 詳細(xì)內(nèi)容
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基本參數(shù)
1、刻蝕尺寸:4吋及以下;
2、刻蝕材料:單晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、GaN、GaAs等;
3、刻蝕速率:0.2~0.9μm/min;
4、刻蝕距離調(diào)節(jié):10mm~ 60mm;
5、操作方式:半自動控制方式;
6、系統(tǒng)總控:人機界面及控制程序;
7、電源:220VAC/50Hz,9KW;
8、機器重量:600kg;
9、機器尺寸: D810mm× W1520mm×H1550mm。
電源及刻蝕反應(yīng)室
1、電源:13.56MHz,0.5KW;
2、反應(yīng)室:單室,上蓋啟閉,操作方便;
3、反應(yīng)室規(guī)格:Φ300′110mm;
4、真空度:≤2×10-4 Pa(腔體充分烘烤除氣,去濕后);
5、抽氣時間:系統(tǒng)充干燥 N2解除真空后短時暴露,大氣壓~ 5×10-3 Pa 時間≤ 30min。
真空測量系統(tǒng)及氣體配置
1、真空計:數(shù)顯復(fù)合真空計 1套,測量低真空和高真空;
2、供氣接口:N2、O2 、CF4、CHF3、SF6以及壓縮空氣,進(jìn)氣壓力 0.4~0.6Mpa,工藝氣體純度為:99.999﹪
冷卻系統(tǒng)
1、配備冷卻水循環(huán)系統(tǒng);
2、保護(hù)系統(tǒng):對泵、電極等缺水等異常情況進(jìn)行報警并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)。